本周三，三星电子宣布他们位于平泽园区的P3生产线，全面投入运营。
从外媒的报道来看，三星电子在平泽园区的P3芯片生产线，是在2020年的年底开始建设的，建设过程历时近两年，在今年7月份就已开始生产先进的NAND闪存。
外媒在报道中提到，本周全面投入运营的P3生产线，是三星电子到目前为止建设的最大的半导体工厂。
除了已经开始生产的NAND闪存，三星电子平泽园区的P3生产线，还将用于生产基于极紫外光刻工艺的DRAM，以及5nm及以下制程工艺的晶圆代工。5nm及以下制程工艺的晶圆代工，也需要极紫外光刻机，他们已经在这一生产线上部署了阿斯麦的极紫外光刻机。
而在P3生产线投产后，三星电子还将在平泽园区建设P4生产线，外媒在报道中也提到，P4生产线已经开始了基础施工。
